Hersteller Produktnummer:
JANSR2N7381
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
JANSR2N7381-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 9.4A TO257
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 9.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257
Inventar:
13253619
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JANSR2N7381 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
12V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
490mOhm @ 9.4A, 12V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 12 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 75W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Military
Qualifikation
MIL-PRF-19500/614
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-257
Paket / Koffer
TO-257-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
JANSR2N7381-ND
150-JANSR2N7381
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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