Hersteller Produktnummer:
JAN2N7335
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
JAN2N7335-DG
Beschreibung:
MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 100V 750mA 1.4W Through Hole
Inventar:
12930203
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Menge
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JAN2N7335 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
4 P-Channel
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
750mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
1.4W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Military
Qualifikation
MIL-PRF-19500/599
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Basis-Produktnummer
2N733
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
JAN2N7335-MIL
150-JAN2N7335
JAN2N7335-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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