Hersteller Produktnummer:
JAN2N7334
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
JAN2N7334-DG
Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
Inventar:
12929658
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Menge
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JAN2N7334 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
4 N-Channel
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 600mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
1.4W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Military
Qualifikation
MIL-PRF-19500/597
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Gerätepaket für Lieferanten
MO-036AB
Basis-Produktnummer
2N733
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
JAN2N7334-MIL
150-JAN2N7334
JAN2N7334-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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