Hersteller Produktnummer:
JAN2N6901
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
JAN2N6901-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 1.69A TO205AF
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 1.69A (Tc) 8.33W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
Inventar:
12929331
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JAN2N6901 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.69A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1.07A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
8.33W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Military
Qualifikation
MIL-PRF-19500/570
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-205AF (TO-39)
Paket / Koffer
TO-205AF Metal Can
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-JAN2N6901
JAN2N6901-MIL
JAN2N6901-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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