Hersteller Produktnummer:
JAN2N6849
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
JAN2N6849-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventar:
12927597
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Menge
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JAN2N6849 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
320mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Military
Qualifikation
MIL-PRF-19500/564
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-39
Paket / Koffer
TO-205AF Metal Can
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
JAN2N6849-MIL
JAN2N6849-DG
150-JAN2N6849
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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