Hersteller Produktnummer:
JAN2N6798U
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
JAN2N6798U-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)
Inventar:
12928307
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JAN2N6798U Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
42.07 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Military
Qualifikation
MIL-PRF-19500/557
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
18-ULCC (9.14x7.49)
Paket / Koffer
18-CLCC
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-JAN2N6798U
JAN2N6798U-DG
JAN2N6798U-MIL
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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