JAN2N6782
Hersteller Produktnummer:

JAN2N6782

Product Overview

Hersteller:

Microsemi Corporation

Teilenummer:

JAN2N6782-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 3.5A TO39
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 3.5A (Tc) 800mW (Ta), 15W (Tc) Through Hole TO-39

Inventar:

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12923212
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JAN2N6782 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
610mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
800mW (Ta), 15W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Military
Qualifikation
MIL-PRF-19500/556
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-39
Paket / Koffer
TO-205AF Metal Can

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
2N6782,84,86

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
JAN2N6782-MIL
JAN2N6782-DG
150-JAN2N6782

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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