Hersteller Produktnummer:
JAN2N5014
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
JAN2N5014-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 900V 0.2A TO5
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 900 V 200 mA 1 W Through Hole TO-5AA
Inventar:
13261241
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Menge
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EINREICHEN
JAN2N5014 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
Military, MIL-PRF-19500/727
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
200 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
900 V
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 10V
Leistung - Max
1 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-5AA
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
JAN2N5014-ND
150-JAN2N5014
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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