Hersteller Produktnummer:
JAN2N3960
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
JAN2N3960-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 12V TO18
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 12 V 400 mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
Inventar:
12927415
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Menge
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JAN2N3960 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 3mA, 30mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 1V
Leistung - Max
400 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grad
Military
Qualifikation
MIL-PRF-19500/399
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-18 (TO-206AA)
Basis-Produktnummer
2N3960
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
100
Andere Namen
1086-20938-MIL
1086-20938-DG
1086-20938
150-JAN2N3960
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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