Hersteller Produktnummer:
JAN2N3811L
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
JAN2N3811L-DG
Beschreibung:
TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
Inventar:
12924401
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Menge
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JAN2N3811L Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 100µA, 1mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
300 @ 1mA, 5V
Leistung - Max
350mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grad
Military
Qualifikation
MIL-PRF-19500/336
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-78-6 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-78-6
Basis-Produktnummer
2N3811
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-JAN2N3811L
1086-2360-MIL
1086-2360-DG
1086-2360
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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