Hersteller Produktnummer:

APTM120UM95FAG

Product Overview

Hersteller:

Microsemi Corporation

Teilenummer:

APTM120UM95FAG-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 1200V 103A SP6

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 1200 V 103A (Tc) 2272W (Tc) Chassis Mount SP6

Inventar:

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13261520

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APTM120UM95FAG Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Microsemi

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

1200 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

103A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

114mOhm @ 51.5A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

5V @ 15mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

1122 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

30900 pF @ 25 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2272W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Chassis Mount

Gerätepaket für Lieferanten

SP6

Paket / Koffer

SP6

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

1

Andere Namen

APTM120UM95FAG-ND

150-APTM120UM95FAG

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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