Hersteller Produktnummer:
APTC90DAM60CT1G
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
APTC90DAM60CT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 59A (Tc) 462W (Tc) Chassis Mount SP1
Inventar:
13246847
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APTC90DAM60CT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 52A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 6mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
540 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13600 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
462W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SP1
Paket / Koffer
SP1
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
100
Andere Namen
APTC90DAM60CT1G-ND
150-APTC90DAM60CT1G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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