Hersteller Produktnummer:
APT9F100S
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
APT9F100S-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 9A (Tc) 337W (Tc) Surface Mount D3PAK
Inventar:
13258669
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Menge
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APT9F100S Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
POWER MOS 8™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2606 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
337W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D3Pak
Paket / Koffer
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
APT9F100S-ND
150-APT9F100S
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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