Hersteller Produktnummer:
APT80SM120J
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
APT80SM120J-DG
Beschreibung:
SICFET N-CH 1200V 51A SOT227
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 51A (Tc) 273W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Inventar:
13260627
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APT80SM120J Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
235 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
273W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-227
Paket / Koffer
SOT-227-4, miniBLOC
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-APT80SM120J
APT80SM120J-ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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