Hersteller Produktnummer:
APT7F80K
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
APT7F80K-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 7A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Inventar:
13254422
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Menge
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APT7F80K Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
POWER MOS 8™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1335 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
225W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220 [K]
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
APT7F80K-ND
150-APT7F80K
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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