APT40SM120B
Hersteller Produktnummer:

APT40SM120B

Product Overview

Hersteller:

Microsemi Corporation

Teilenummer:

APT40SM120B-DG

Beschreibung:

SICFET N-CH 1200V 41A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 41A (Tc) 273W (Tc) Through Hole TO-247

Inventar:

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APT40SM120B Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
41A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA (Typ)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2560 pF @ 1000 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
273W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247
Paket / Koffer
TO-247-3

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
100
Andere Namen
150-APT40SM120B
APT40SM120B-ND

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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