Hersteller Produktnummer:
APT30N60KC6
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
APT30N60KC6-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Inventar:
13257475
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APT30N60KC6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 960µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2267 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
219W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220 [K]
Paket / Koffer
TO-220-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
APT30N60KC6-ND
150-APT30N60KC6
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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