Hersteller Produktnummer:
APT12F60K
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
APT12F60K-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Inventar:
13258195
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APT12F60K Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
620mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2200 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
225W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220 [K]
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
APT12F60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
APT12F60KMI
APT12F60KMI-ND
APT12F60K-ND
150-APT12F60K
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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