Hersteller Produktnummer:
2N6250
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
2N6250-DG
Beschreibung:
NPN TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 275 V 10 A 6 W Through Hole TO-204AA (TO-3)
Inventar:
13261411
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Menge
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2N6250 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
275 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 1.25A, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
8 @ 10A, 3V
Leistung - Max
6 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-204AA, TO-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-204AA (TO-3)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
100
Andere Namen
150-2N6250
2N6250-ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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