Hersteller Produktnummer:
2N5015S
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
2N5015S-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 1000 V 200 mA 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Inventar:
13258226
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2N5015S Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
Military, MIL-PRF-19500/727
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
200 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
1000 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.8V @ 5mA, 20mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 10V
Leistung - Max
1 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-39 (TO-205AD)
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-2N5015S
2N5015S-ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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