Hersteller Produktnummer:
2N1016D
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
2N1016D-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 200V 7.5A TO82
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 7.5 A 150 W TO-82
Inventar:
13265187
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Menge
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2N1016D Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
7.5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
200 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2.5V @ 1A, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
6 @ 7.5A, 4V
Leistung - Max
150 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Gerätepaket für Lieferanten
TO-82
Basis-Produktnummer
2N1016
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2N1016D-ND
150-2N1016D
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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