Hersteller Produktnummer:
2N1016B
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
2N1016B-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 100V 7.5A TO82
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 7.5 A 150 W TO-82
Inventar:
13260823
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2N1016B Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
7.5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2.5V @ 1A, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
20 @ 2A, 4V
Leistung - Max
150 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Gerätepaket für Lieferanten
TO-82
Basis-Produktnummer
2N1016
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2N1016B-ND
150-2N1016B
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
