2N1016B
Hersteller Produktnummer:

2N1016B

Product Overview

Hersteller:

Microsemi Corporation

Teilenummer:

2N1016B-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 100V 7.5A TO82
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 7.5 A 150 W TO-82

Inventar:

13260823
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2N1016B Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
7.5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2.5V @ 1A, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
20 @ 2A, 4V
Leistung - Max
150 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Gerätepaket für Lieferanten
TO-82
Basis-Produktnummer
2N1016

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
2N1016B-ND
150-2N1016B

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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