Hersteller Produktnummer:
VP2206N3-G-P003
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
VP2206N3-G-P003-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 640mA (Tj) 740mW (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventar:
292 Stück Neu Original Auf Lager
12811019
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VP2206N3-G-P003 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Cut Tape (CT)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
640mA (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 10mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
450 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
740mW (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Basis-Produktnummer
VP2206
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
150-VP2206N3-G-P003DKRINACTIVE
150-VP2206N3-G-P003TR
150-VP2206N3-G-P003DKR-DG
VP2206N3-G-P003-DG
150-VP2206N3-G-P003CT
150-VP2206N3-G-P003DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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