Hersteller Produktnummer:
VP2206N2
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
VP2206N2-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 750MA TO39
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 750mA (Tj) 360mW (Tc) Through Hole TO-39
Inventar:
964 Stück Neu Original Auf Lager
12811135
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VP2206N2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bag
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
750mA (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 10mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
450 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
360mW (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-39
Paket / Koffer
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Basis-Produktnummer
VP2206
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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