VN2460N3-G-P014
Hersteller Produktnummer:

VN2460N3-G-P014

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

VN2460N3-G-P014-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 160mA (Tj) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3

Inventar:

Angebot Anfrage Online
12822769
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

VN2460N3-G-P014 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tape & Box (TB)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
160mA (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 2mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
150 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Basis-Produktnummer
VN2460

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
VN2460N3-G-P014
HTML-Datenblatt
VN2460N3-G-P014-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
infineon-technologies

AUXDIFZ44ESTRL

MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

infineon-technologies

IRF6635TR1

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

infineon-technologies

IRF540NLPBF

MOSFET N-CH 100V 33A TO262

infineon-technologies

IRF3709ZCL

MOSFET N-CH 30V 87A TO262