Hersteller Produktnummer:
VN2110K1-G
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
VN2110K1-G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 200mA (Tj) 360mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
9560 Stück Neu Original Auf Lager
12809347
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VN2110K1-G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
50 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
360mW (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
VN2110
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
PCN-Design/Spezifikation
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
VN2110K1-GTR
VN2110K1-GCT
VN2110K1-G-DG
VN2110K1-GDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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