Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
DR Kongo
Argentinien
Turkei
Rumänien
Litauen
Norwegen
Österreich
Angola
Slowakei
ltaly
Finnland
Belarus
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Montenegro
Russisch
Belgien
Schweden
Serbien
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Republik Moldau
Deutschland
Niederlande
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankreich
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Portugal
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
VN0606L-G-P003
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
VN0606L-G-P003-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 330mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12823101
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
VN0606L-G-P003 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
330mA (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
50 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Basis-Produktnummer
VN0606
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
VN0606
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
IRFR3708
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
IXTH40N50L2
MOSFET N-CH 500V 40A TO247
VN2222LL-G-P003
MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3