Hersteller Produktnummer:
TP5335K1-G
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
TP5335K1-G-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 350 V 85mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Inventar:
29044 Stück Neu Original Auf Lager
12807634
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TP5335K1-G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
350 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
85mA (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
30Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
110 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
360mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236AB (SOT23)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
TP5335
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
PCN-Baugruppe/Ursprung
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
TP5335K1-GDKR
TP5335K1-GTR
TP5335K1-GCT
TP5335K1-G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRLU024N
MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
IRL6283MTRPBF
MOSFET N-CH 20V 38A DIRECTFET
SIPC69N65C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH