TN0110N3-G
Hersteller Produktnummer:

TN0110N3-G

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

TN0110N3-G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventar:

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12810007
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TN0110N3-G Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bag
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
350mA (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 500µA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
60 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Basis-Produktnummer
TN0110

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
TN0110

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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