SG2013J
Hersteller Produktnummer:

SG2013J

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

SG2013J-DG

Beschreibung:

DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CERDIP

Inventar:

12967102
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Menge
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SG2013J Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
7 NPN Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.9V @ 600µA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
900 @ 500mA, 2V
Leistung - Max
-
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 125°C (TA)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
16-CDIP (0.300", 7.62mm)
Gerätepaket für Lieferanten
16-CERDIP
Basis-Produktnummer
SG2013

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
25
Andere Namen
150-SG2013J

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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