Hersteller Produktnummer:
MSCSM120VR1M11CT6AG
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
MSCSM120VR1M11CT6AG-DG
Beschreibung:
SIC 2N-CH 1200V 251A
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 251A (Tc) 1.042kW (Tc) Chassis Mount
Inventar:
12989525
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MSCSM120VR1M11CT6AG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
2 N Channel (Phase Leg)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
251A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 120A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 9mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
696nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9000pF @ 1000V
Leistung - Max
1.042kW (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Paket / Koffer
Module
Gerätepaket für Lieferanten
-
Basis-Produktnummer
MSCSM120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-MSCSM120VR1M11CT6AG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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