Hersteller Produktnummer:
MSCSM120HRM163AG
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
MSCSM120HRM163AG-DG
Beschreibung:
SIC 4N-CH 1200V/700V 173A
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 1200V (1.2kV), 700V 173A (Tc), 124A (Tc) 745W (Tc), 365W (Tc) Chassis Mount
Inventar:
12960684
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
MSCSM120HRM163AG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET-Funktion
Silicon Carbide (SiC)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200V (1.2kV), 700V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
173A (Tc), 124A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 80A, 20V, 19mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 6mA, 2.4V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
464nC, 215nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6040pF @ 1000V, 4500pF @ 700V
Leistung - Max
745W (Tc), 365W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Paket / Koffer
Module
Gerätepaket für Lieferanten
-
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-MSCSM120HRM163AG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
MSCSM120HRM311AG
SIC 4N-CH 1200V/700V 89A/124A
MSCSM120HRM08NG
SIC 4N-CH 1200V/700V 317A
SI7904BDN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
