Hersteller Produktnummer:
MSCSM120DAM31CTBL1NG
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
MSCSM120DAM31CTBL1NG-DG
Beschreibung:
PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 79A 310W Chassis Mount
Inventar:
12978685
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MSCSM120DAM31CTBL1NG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
79A
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
232 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3020 pF @ 1000 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
310W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
-
Paket / Koffer
Module
Basis-Produktnummer
MSCSM120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-MSCSM120DAM31CTBL1NG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
MSCSM120SKM31CTBL1NG
HERSTELLER
Microchip Technology
VERFÜGBARE ANZAHL
27
TEILNUMMER
MSCSM120SKM31CTBL1NG-DG
Einheitspreis
80.41
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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