Hersteller Produktnummer:
MSC080SMA330B4
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
MSC080SMA330B4-DG
Beschreibung:
MOSFET SIC 3300 V 80 MOHM TO-247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 3300 V 41A (Tc) 381W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventar:
12975992
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MSC080SMA330B4 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
3300 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
41A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 30A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
2.97V @ 3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+23V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3462 pF @ 2400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
381W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-4
Paket / Koffer
TO-247-4
Basis-Produktnummer
MSC080
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
150-MSC080SMA330B4
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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