MNS2N3637UBP
Hersteller Produktnummer:

MNS2N3637UBP

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

MNS2N3637UBP-DG

Beschreibung:

TRANS PNP 175V 1A UB
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 175 V 1 A 1.5 W Surface Mount UB

Inventar:

12975764
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MNS2N3637UBP Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
175 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
Leistung - Max
1.5 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grad
Military
Qualifikation
MIL-PRF-19500/357
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
3-SMD, No Lead
Gerätepaket für Lieferanten
UB

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
150-MNS2N3637UBP

Umwelt- und Exportklassifizierung

REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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