Hersteller Produktnummer:
JANTXV2N6251
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
JANTXV2N6251-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 350V 0.001A TO3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 1 mA 5.5 W Through Hole TO-3
Inventar:
13263506
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Menge
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JANTXV2N6251 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
-
Reihe
Military, MIL-PRF-19500/510
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
350 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 1.67A, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
6 @ 10A, 3V
Leistung - Max
5.5 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-204AA, TO-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Umwelt- und Exportklassifizierung
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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