Hersteller Produktnummer:
JANTXV2N5416
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
JANTXV2N5416-DG
Beschreibung:
PNP TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 1 A 750 mW Through Hole TO-5AA
Inventar:
13259261
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JANTXV2N5416 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
300 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2V @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 50mA, 10V
Leistung - Max
750 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grad
Military
Qualifikation
MIL-PRF-19500/485
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-5AA
Basis-Produktnummer
2N5416
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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