JANTXV2N3999P
Hersteller Produktnummer:

JANTXV2N3999P

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

JANTXV2N3999P-DG

Beschreibung:

POWER BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 10 A 2 W Stud Mount TO-59

Inventar:

12983646
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Menge
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JANTXV2N3999P Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
Military, MIL-PRF-19500/374
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2V @ 500mA, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 1A, 2V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Stud Mount
Paket / Koffer
TO-210AA, TO-59-4, Stud
Gerätepaket für Lieferanten
TO-59

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
150-JANTXV2N3999P

Umwelt- und Exportklassifizierung

REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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