Hersteller Produktnummer:
JANTX2N6301P
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
JANTX2N6301P-DG
Beschreibung:
POWER BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 8 A 75 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Inventar:
12983567
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JANTX2N6301P Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
3V @ 80mA, 8A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
750 @ 4A, 3V
Leistung - Max
75 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-213AA, TO-66-2
Gerätepaket für Lieferanten
TO-66 (TO-213AA)
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-JANTX2N6301P
Umwelt- und Exportklassifizierung
REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
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