JANSM2N3440
Hersteller Produktnummer:

JANSM2N3440

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

JANSM2N3440-DG

Beschreibung:

RH POWER BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 1 A 800 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)

Inventar:

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12982474
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JANSM2N3440 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
Military, MIL-PRF-19500/368
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
250 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
2µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Leistung - Max
800 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 200°C
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-39 (TO-205AD)

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
150-JANSM2N3440

Umwelt- und Exportklassifizierung

REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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