JAN2N5664P
Hersteller Produktnummer:

JAN2N5664P

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

JAN2N5664P-DG

Beschreibung:

POWER BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 5 A 2.5 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)

Inventar:

Angebot Anfrage Online
12982208
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

JAN2N5664P Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
200 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 300mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
200nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
40 @ 1A, 5V
Leistung - Max
2.5 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grad
Military
Qualifikation
MIL-PRF-19500/455
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-213AA, TO-66-2
Gerätepaket für Lieferanten
TO-66 (TO-213AA)

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
150-JAN2N5664P

Umwelt- und Exportklassifizierung

REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
microchip-technology

JANKCBP2N2906A

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

JANSL2N4449

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

JANTXV2N2484P

SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N497S

POWER BJT