Hersteller Produktnummer:
JAN2N5339
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
JAN2N5339-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 100V 5A TO39
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 5 A 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Inventar:
12966426
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Menge
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JAN2N5339 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.2V @ 500mA, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 2V
Leistung - Max
1 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grad
Military
Qualifikation
MIL-PRF-19500/560
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-39 (TO-205AD)
Basis-Produktnummer
2N5339
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
1086-21044
1086-21044-MIL
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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