JAN2N4854
Hersteller Produktnummer:

JAN2N4854

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

JAN2N4854-DG

Beschreibung:

NPN TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 600mA 600mW Through Hole TO-78-6

Inventar:

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JAN2N4854 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
600mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
40V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 15mA, 150mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Leistung - Max
600mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grad
Military
Qualifikation
MIL-PRF-19500/421
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-78-6 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-78-6
Basis-Produktnummer
2N4854

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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