Hersteller Produktnummer:
JAN2N3867P
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
JAN2N3867P-DG
Beschreibung:
POWER BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 3 A 1 W Through Hole TO-5AA
Inventar:
12984113
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JAN2N3867P Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
Military, MIL-PRF-19500/350
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
40 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 500mA, 1V
Leistung - Max
1 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 200°C
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-5AA
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-JAN2N3867P
Umwelt- und Exportklassifizierung
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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