Hersteller Produktnummer:
JAN2N3439P
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
JAN2N3439P-DG
Beschreibung:
POWER BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 1 A 800 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Inventar:
12983109
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Menge
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JAN2N3439P Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
Military, MIL-PRF-19500/368
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
350 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
2µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Leistung - Max
800 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 200°C
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-39 (TO-205AD)
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-JAN2N3439P
Umwelt- und Exportklassifizierung
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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