JAN2N2920
Hersteller Produktnummer:

JAN2N2920

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

JAN2N2920-DG

Beschreibung:

NPN TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Through Hole TO-78-6

Inventar:

Angebot Anfrage Online
13246988
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

JAN2N2920 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
30mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 100µA, 1mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
300 @ 1mA, 5V
Leistung - Max
350mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grad
Military
Qualifikation
MIL-PRF-19500/355
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-78-6 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-78-6
Basis-Produktnummer
2N2920

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1

Umwelt- und Exportklassifizierung

REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
microchip-technology

JAN2N5795A

NPN TRANSISTOR

microchip-technology

SG2003J

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

microchip-technology

JANTX2N5795

NPN TRANSISTOR

microchip-technology

JAN2N4854U

NPN TRANSISTOR