JAN2N1890S
Hersteller Produktnummer:

JAN2N1890S

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

JAN2N1890S-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 80V 0.5A TO39
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 800 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)

Inventar:

Angebot Anfrage Online
13254680
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

JAN2N1890S Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
-
Reihe
Military, MIL-PRF-19500/225
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
5V @ 15mA, 150mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Leistung - Max
800 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-39 (TO-205AD)

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
microchip-technology

2N3418S

TRANS NPN 60V 3A TO39

microchip-technology

JAN2N2432AUB

TRANS NPN 30V 0.1A UB

microchip-technology

JANTXV2N3725

TRANS NPN 50V 0.5A TO39

microchip-technology

2N6673

PNP TRANSISTOR