Hersteller Produktnummer:
DN3135N8-G
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
DN3135N8-G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 350 V 135mA (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)
Inventar:
16992 Stück Neu Original Auf Lager
12815777
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DN3135N8-G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
350 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
135mA (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
0V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35Ohm @ 150mA, 0V
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
120 pF @ 25 V
FET-Funktion
Depletion Mode
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-243AA (SOT-89)
Paket / Koffer
TO-243AA
Basis-Produktnummer
DN3135
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
DN3135N8-GDKR
DN3135N8-G-DG
DN3135N8-GTR
DN3135N8-GCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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