Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
DN2625DK6-G
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
DN2625DK6-G-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8DFN
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 250V 1.1A Surface Mount 8-DFN (5x5)
Inventar:
188 Stück Neu Original Auf Lager
12790889
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
DN2625DK6-G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tray
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Depletion Mode
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 1A, 0V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.04nC @ 1.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1000pF @ 25V
Leistung - Max
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-VDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
8-DFN (5x5)
Basis-Produktnummer
DN2625
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
DN2625DK6-G
HTML-Datenblatt
DN2625DK6-G-DG
PCN-Baugruppe/Ursprung
Fab Site Addition 14/Aug/2014
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
490
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
CSD87331Q3D
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON
CSD85301Q2T
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
CMLDM3757 TR PBFREE
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
CSD86330Q3D
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON