Hersteller Produktnummer:
DN2535N3-G-P013
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
DN2535N3-G-P013-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 350 V 120mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventar:
12795593
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DN2535N3-G-P013 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tape & Box (TB)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
350 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120mA (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
0V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25Ohm @ 120mA, 0V
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
300 pF @ 25 V
FET-Funktion
Depletion Mode
Verlustleistung (max.)
1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92 (TO-226)
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Basis-Produktnummer
DN2535
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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